11月16日，英特尔在北京举行45纳米制程技术及其处理器发布会。45纳米技术的诞生是大规模集成电路生产工艺的突破。去年Intel发布的酷睿II是两亿九千万三极管，今天的45纳米双核是四亿一千万个三极管，四核是八亿两千万个三极管，这么多的三极管有很多问题和瓶颈要解决。于是，英特尔找到了一种新的金属材料--High-K。这个产品的诞生也是Intel第一次使用了无铅的材料，相信对于未来产业的推动会有非常大的推动。以上是介绍金属材料--High-K的视频短篇。
[宽频]英特尔45纳米突破的根源：High-K解析
相关文章
- 贝瑞特退休：英特尔的一个好消息 2009-02-02 11:25
- 2009CES:AMD推其首款45纳米四核芯片 2009-01-12 14:52
- 杨叙升职：英特尔下给中国大区的军令 2009-01-11 22:55
- 杨叙升任英特尔中国大区总裁，王文汉调回美国 2009-01-09 23:38
- 分析师总结:AMD是08年CPU市场降价冠军 2008-12-09 10:44
- 两大芯片巨头争锋45纳米押注中国市场 2008-12-09 10:42
- 热点盘析：45nm未来的路有多远？ 2008-12-04 11:00
- AMD规划好的蓝图 从“上海”启程 2008-12-03 10:25
