采用0.065微米工艺 英特尔将闪存容量翻番
davids ◎ 2006-04-07 CNET
英特尔公司计划通过转向新的制造工艺将其闪存芯片的存储密度翻一番。
英特尔计划在本季度生产出首批0.065 微米工艺NOR 型闪存芯片样品。英特尔闪存集团的副总裁兼总经理哈里逊说，到今年年底，手机厂商将能够在产品中大量使用这类芯片。
他表示，新型闪存芯片的存储密度将由目前0.09微米工艺芯片的512Mb 提高到1Gb。哈里逊表示，通过采用堆叠技术，英特尔将能够销售2Gb 容量的NOR 型闪存芯片。当转向0.045 微米工艺时，英特尔将能够进一步降低2Gb 芯片的生产成本。
由于可靠性较高和数据读取时间短，NOR 闪存主要被应用在手机中。
英特尔计划在本季度生产出首批0.065 微米工艺NOR 型闪存芯片样品。英特尔闪存集团的副总裁兼总经理哈里逊说，到今年年底，手机厂商将能够在产品中大量使用这类芯片。
他表示，新型闪存芯片的存储密度将由目前0.09微米工艺芯片的512Mb 提高到1Gb。哈里逊表示，通过采用堆叠技术，英特尔将能够销售2Gb 容量的NOR 型闪存芯片。当转向0.045 微米工艺时，英特尔将能够进一步降低2Gb 芯片的生产成本。
由于可靠性较高和数据读取时间短，NOR 闪存主要被应用在手机中。
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