Cell处理器转入65纳米制程 应用范围拓宽
dz19 ◎ 2007-02-28 服务器在线
服务器在线北京报道：在近日举行的国际固态电路会议（ISSCC）上，索尼、IBM和东芝发布了65nm制程的Cell处理器，应用了新的SRAM缓存技术，最高频率可达6GHz。
同原本90nm的Cell相比，新的65nm版本使用SOI绝缘硅技术制造，体积更小，耗电量也更低，有利于节省成本，预计在量产后很快就会在PS3游戏机中替代现有的90nm型号。除了制程的更迭，Cell在设计上也有了一定意义上的改良，采用双供电SRAM阵列。除了普通意义上的处理器供电电路（Vdd），65nm Cell专门为SRAM处理器L1、L2缓存缓存设计了第二路供电线路（Vcs），提高稳定性。改良设计后的Cell可以达到更高的频率，同时降低功耗。
由于之前的90nm Cell成本过高，产量也一直跟不上，原本承诺的在家电产品中的广泛应用一直没有实现。但在换用65nm工艺后，由于成本、功率等的下降，Cell联盟计划加速其向家电业的进军。他们计划将Cell中的8个SPE减半，提供家电版的简化处理器。甚至直接取消主处理单元PPE，让仅包含数个SPE的Cell和其他类型的中央处理器在电器中实现合作，专门用作媒体加速处理器。
对于IBM在本次ISSCC上公布的65nm SOI eDRAM缓存技术，Cell也可以考虑是否在今后使用大容量eDRAM缓存提高性能。
同原本90nm的Cell相比，新的65nm版本使用SOI绝缘硅技术制造，体积更小，耗电量也更低，有利于节省成本，预计在量产后很快就会在PS3游戏机中替代现有的90nm型号。除了制程的更迭，Cell在设计上也有了一定意义上的改良，采用双供电SRAM阵列。除了普通意义上的处理器供电电路（Vdd），65nm Cell专门为SRAM处理器L1、L2缓存缓存设计了第二路供电线路（Vcs），提高稳定性。改良设计后的Cell可以达到更高的频率，同时降低功耗。
由于之前的90nm Cell成本过高，产量也一直跟不上，原本承诺的在家电产品中的广泛应用一直没有实现。但在换用65nm工艺后，由于成本、功率等的下降，Cell联盟计划加速其向家电业的进军。他们计划将Cell中的8个SPE减半，提供家电版的简化处理器。甚至直接取消主处理单元PPE，让仅包含数个SPE的Cell和其他类型的中央处理器在电器中实现合作，专门用作媒体加速处理器。
对于IBM在本次ISSCC上公布的65nm SOI eDRAM缓存技术，Cell也可以考虑是否在今后使用大容量eDRAM缓存提高性能。
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