IDT AMB芯片支持新一代双核Xeon CPU
Adan ◎ 2006-05-26 服务器在线
IDT公司今日宣布其对英特尔新一代双核心Intel Xeon 5000和5100处理器平台(原先产品代号是『Dempsey』和『Woodcrest』)的支持。
IDT为新Xeon处理器提供的最佳化套件包括领先业界的先进内存缓冲(AMB - Advanced Memory Buffer)芯片，这是下一代高带宽应用产品如服务器等的必要建构组件，这类应用需要高性能和庞大的内存容量。
全缓冲双线内存模组 (FB-DIMM - Fully Buffered Dual In-line DIMM)通道架构的主要特性之一，是在通道上由内存控制器和模组间进行高速、串行和点对点的连接。每个FB-DIMM上的AMB芯片则负责搜集并传输来自或送往DIMM的数据，数据通过AMB芯片进行内部缓冲后，再将数据传输至下一组DIMM或内存控制器并接收新数据。
这种独特的通道架构可避免使用暂存性DIMM (registered DIMM)技术常会碰到的缓冲延迟问题，使得设计工程师能在单一系统中使用大量的DIMM。
IDT已是AMB技术的领先设计制造商，除了第一家量产AMB之外，也最先提供AMB样品及展示系统操作。
IDT为新Xeon处理器提供的最佳化套件包括领先业界的先进内存缓冲(AMB - Advanced Memory Buffer)芯片，这是下一代高带宽应用产品如服务器等的必要建构组件，这类应用需要高性能和庞大的内存容量。
全缓冲双线内存模组 (FB-DIMM - Fully Buffered Dual In-line DIMM)通道架构的主要特性之一，是在通道上由内存控制器和模组间进行高速、串行和点对点的连接。每个FB-DIMM上的AMB芯片则负责搜集并传输来自或送往DIMM的数据，数据通过AMB芯片进行内部缓冲后，再将数据传输至下一组DIMM或内存控制器并接收新数据。
这种独特的通道架构可避免使用暂存性DIMM (registered DIMM)技术常会碰到的缓冲延迟问题，使得设计工程师能在单一系统中使用大量的DIMM。
IDT已是AMB技术的领先设计制造商，除了第一家量产AMB之外，也最先提供AMB样品及展示系统操作。
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