[宽频]英特尔45纳米突破的根源：High-K解析
DoSERV ◎ 2007-11-20 服务器在线
11月16日，英特尔在北京举行45纳米制程技术及其处理器发布会。45纳米技术的诞生是大规模集成电路生产工艺的突破。去年Intel发布的酷睿II是两亿九千万三极管，今天的45纳米双核是四亿一千万个三极管，四核是八亿两千万个三极管，这么多的三极管有很多问题和瓶颈要解决。于是，英特尔找到了一种新的金属材料--High-K。这个产品的诞生也是Intel第一次使用了无铅的材料，相信对于未来产业的推动会有非常大的推动。以上是介绍金属材料--High-K的视频短篇。
- 相关文章
-
- DoSERV分析 基辛格阐述全新六核及多路处理器2008-03-19 10:49:35
- Nehalem细节：支持DDR3 并行计算能力提升33%2008-03-19 09:46:25
- 英特尔阐述设计六核初衷 平衡核心数量与缓存2008-03-19 09:30:55
- 欧德宁为英特尔垄断指控辩护：与AMD竞争是合法的2008-03-13 09:27:49
- 强龙也要斗地头蛇 英特尔欧德宁为垄断案出庭辩护2008-03-12 10:40:51
- 英特尔面临欧盟巨额罚单 罚金达全年营收10%2008-03-12 10:29:53
- 英特尔：45nm处理器已生产400万片 日产能达10万2008-03-11 10:18:34
- 四核安腾Tukwila即将问世 英特尔透露处理器构造2008-03-11 09:53:24
发表评论